一种增镀石墨层微天平石英晶片的生产方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种增镀石墨层微天平石英晶片的生产方法，包括：对微天平石英晶片镀金属膜，得到金属镀膜微天平石英晶片；对所述金属镀膜微天平石英晶片增镀石墨层，得到增镀石墨层微天平石英晶片，对所述微天平石英晶片镀金属膜的溅射功率为0.30kw‑0.40kw，对所述金属镀膜微天平石英晶片增镀石墨层的真空度为5.0×10‑1Pa‑7.0×10‑1Pa、镀前预加热镀膜温度为120℃‑140℃、溅射功率为0.5kW‑0.8kW，速率为本发明得到的增镀石墨层微天平石英晶片的石墨层无起皱、脱落等失效现象，能够保证微天平石英晶片的敏感度。
基本信息
专利标题 ：
一种增镀石墨层微天平石英晶片的生产方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114351094A
申请号 ：
CN202111566259.9
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李剑张贻海袁庆祝王丽娟陈杰段宏伟
申请人 ：
唐山万士和电子有限公司
申请人地址 ：
河北省唐山市玉田县林南仓镇东路南
代理机构 ：
北京国贝知识产权代理有限公司
代理人 ：
尹晓强
优先权 ：
CN202111566259.9
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 C23C14/06 C23C14/02 C23C14/18
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/34
申请日 : 20211220
申请日 : 20211220
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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