本发明提供一种晶体缺陷的检测方法及晶棒生长方法，所述晶体缺陷的检测方法包括：对一具有晶体缺陷的硅片依次进行热处理和气相刻蚀，以使得所述晶体缺陷显现出来；对所述硅片的表面进行观察，若所述硅片的表面形成有凹坑，则所述硅片中的晶体缺陷为位错环缺陷；若所述硅片的表面形成有凹坑以及位于所述凹坑中的沉淀物，则所述硅片中的晶体缺陷为自间隙原子团聚体缺陷。本发明的技术方案使得能够准确分辨出位错环缺陷带与自间隙原子团聚体缺陷带。