化合物半导体的晶体缺陷观察方法
公开
摘要
将在纤锌矿结构的化合物半导体(1)的c面(0001)上沿[2－1－10]方向形成有栅电极(3)的设备以(10－10)面切割，制作试样(4)。通过使用透射式电子显微镜使电子束(5)从[－1010]方向入射到试样(4)，观察伯格斯矢量为1/3[2－1－10]、1/3[－2110]的刃型位错和伯格斯矢量为1/3[2－1－13]、1/3[－2113]的混合位错。
基本信息
专利标题 ：
化合物半导体的晶体缺陷观察方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114599965A
申请号 ：
CN201980101687.9
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2019-11-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
佐佐木肇
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭忠健
优先权 ：
CN201980101687.9
主分类号 ：
G01N23/04
IPC分类号 ：
G01N23/04
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N23/00
利用波或粒子辐射来测试或分析材料，例如未包括在G01N3/00-G01N17/00、G01N 21/00 或G01N 22/00中的X射线或中子
G01N23/02
通过使辐射透过材料
G01N23/04
并形成材料的图片
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
