化合物半导体开关电路装置
专利权的终止
摘要
一种化合物半导体开关电路装置，在反向控制型逻辑MMIC中，将电阻配置于共通输入端子焊盘和FET之间。即，在电阻上介由氮化膜配置焊盘配线，存在焊盘配线上的高频模拟信号泄漏到控制端子上，使插入损耗增加的问题。在第一及第二控制端子附近，在到第一连接装置及第二连接装置的交叉部的之间连接5KΩ以上的高电阻体。即使焊盘配线上的高频模拟信号泄漏到第一及第二连接装置上，也可以通过高电阻体将其衰减。因此，实质上不向控制端子焊盘传送高频模拟信号，可抑制插入损耗的增大。
基本信息
专利标题 ：
化合物半导体开关电路装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1794582A
申请号 ：
CN200510131706.2
公开（公告）日 ：
2006-06-28
申请日 ：
2005-12-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
浅野哲郎榊原干人
申请人 ：
三洋电机株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李贵亮
优先权 ：
CN200510131706.2
主分类号 ：
H03K17/687
IPC分类号 ：
H03K17/687 H03K17/00
法律状态
2021-11-26 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H03K 17/687
申请日 : 20051213
授权公告日 : 20110921
终止日期 : 20201213
申请日 : 20051213
授权公告日 : 20110921
终止日期 : 20201213
2011-09-21 ：
授权
2006-08-23 ：
实质审查的生效
2006-06-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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