氧化锌系化合物半导体发光元件
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供一种在发出400nm以下的短波长的光时，使叠层的半导体层的结晶性提高从而使内部量子效率提高，并且通过使发出的光尽可能不被基板等吸收而将其取出到外部，使外部量子效率也提高，从而能够综合地提高发光效率的结构的半导体发光元件。当在基板(1)上以形成发出400nm以下波长的光的发光层形成部(7)的方式叠层ZnO系化合物半导体层(2～6)时，使用由MgxZn1－xO(0＜x≤0.5)构成的基板作为基板(1)。
基本信息
专利标题 ：
氧化锌系化合物半导体发光元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101147269A
申请号 ：
CN200680009529.3
公开（公告）日 ：
2008-03-19
申请日 ：
2006-03-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
中原健
申请人 ：
罗姆股份有限公司
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200680009529.3
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01S5/327
法律状态
2012-05-23 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101357526937
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利申请号 : 2006800095293
公开日 : 20080319
号牌文件序号 : 101357526937
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利申请号 : 2006800095293
公开日 : 20080319
2008-05-14 ：
实质审查的生效
2008-03-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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