氧化锌系化合物半导体元件
专利权的终止
摘要
本发明提供一种即使形成具有ZnO系化合物半导体层的异质结的叠层部从而形成半导体元件，也不会引起驱动电压的上升，而且使结晶性良好、元件特性优异的氧化锌系化合物半导体元件。在由以A面(11－20)或M面(10－10)作为主面的MgxZn1－xO(0≤x≤0.5)构成的基板(1)的主面上，与主面平行的面在｛11－20｝面或｛10－10｝面上取向、并且与主面垂直的面在｛0001｝面上取向而外延生长ZnO系化合物半导体单晶层(2～6)。
基本信息
专利标题 ：
氧化锌系化合物半导体元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101147268A
申请号 ：
CN200680009523.6
公开（公告）日 ：
2008-03-19
申请日 ：
2006-03-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
中原健田村谦太郎
申请人 ：
罗姆股份有限公司
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200680009523.6
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01S5/327
法律状态
2014-05-14 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101582162447
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006800095236
申请日 : 20060323
授权公告日 : 20090805
终止日期 : 20130323
号牌文件序号 : 101582162447
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006800095236
申请日 : 20060323
授权公告日 : 20090805
终止日期 : 20130323
2009-08-05 ：
授权
2008-05-14 ：
实质审查的生效
2008-03-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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