化合物半导体化学抛光腐蚀液
专利申请的视为撤回
摘要
本发明提供一种用于化合物半导体器件的化学抛光腐蚀液，该腐蚀溶液是选择双氧水为氧化剂，盐酸为络合剂，按体积比为HCl∶H2O2＝(2～6)∶1配制的混合溶液，CdTe、GaAs化合物半导体器件经过这种腐蚀溶液化学抛光，都能制备出性能优良的核辐射探测器。使用该腐蚀液对环境无污染、操作简单，用去离子水可直接淬灭，因此成本低，有广泛推广应用价值。
基本信息
专利标题 ：
化合物半导体化学抛光腐蚀液
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1084206A
申请号 ：
CN93117574.7
公开（公告）日 ：
1994-03-23
申请日 ：
1993-09-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
丁洪林张秀凤
申请人 ：
中国原子能科学研究院
申请人地址 ：
102413北京市275信箱65分箱
代理机构 ：
核工业专利法律事务所
代理人 ：
石俊
优先权 ：
CN93117574.7
主分类号 ：
C09K13/04
IPC分类号 ：
C09K13/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C09
染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用
C09K
不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用
C09K13/00
蚀刻，表面光亮或浸蚀组合物
C09K13/04
含一种无机酸
法律状态
1998-11-18 ：
专利申请的视为撤回
1994-03-23 ：
公开
1994-03-09 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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