氮化合物系半导体装置及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明的氮化合物系半导体装置具备支承于具有导电性的基板构造物101的半导体叠层构造物。基板构造物101的主面具有：作为氮化合物系半导体的纵向生长的晶种而起作用的至少1个纵向生长区域；及使在所述纵向生长区域上生长的氮化合物半导体的横向生长成为可能的多个横向生长区域。在设定由箭头A表示的纵向生长区域的尺寸的总和为∑X，该方向的多个横向生长区域的尺寸的总和为∑Y时，∑X/∑Y＞1.0的关系成立。
基本信息
专利标题 ：
氮化合物系半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1922772A
申请号 ：
CN200580005185.4
公开（公告）日 ：
2007-02-28
申请日 ：
2005-11-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
岛本敏孝川口靖利长谷川义晃石桥明彦木户口勋横川俊哉
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李贵亮
优先权 ：
CN200580005185.4
主分类号 ：
H01S5/343
IPC分类号 ：
H01S5/343 H01S5/22 H01L21/205
法律状态
2012-01-25 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101175709692
IPC(主分类) : H01S 5/343
专利号 : ZL2005800051854
申请日 : 20051115
授权公告日 : 20090121
终止日期 : 20101115
号牌文件序号 : 101175709692
IPC(主分类) : H01S 5/343
专利号 : ZL2005800051854
申请日 : 20051115
授权公告日 : 20090121
终止日期 : 20101115
2009-01-21 ：
授权
2007-04-25 ：
实质审查的生效
2007-02-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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