III族氮基半导体封装结构及其制造方法
授权
摘要
一种III族氮基半导体封装结构，包括引线架、黏着层、III族氮基晶粒、封装材料和至少一接合线。引线架包括管芯座和引线。管芯座具有设置在管芯座的顶面中的第一和第二凹槽。第一凹槽位于顶面的相对中心区域附近。第二凹槽位于顶面的相对外围区域附近。从俯视观之，第一凹槽具有与第二凹槽不同的形状。黏着层设置在管芯座上以填充到第一凹槽中。III族氮基晶粒设置在黏着层上。封装材料封装引线架和III族氮基晶粒。第二凹槽填充有封装材料。接合线被封装材料封装。
基本信息
专利标题 ：
III族氮基半导体封装结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113169150A
申请号 ：
CN202180000921.6
公开（公告）日 ：
2021-07-23
申请日 ：
2021-03-10
授权号 ：
CN113169150B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
邱尚青张雷曹凯黄敬源
申请人 ：
英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号
代理机构 ：
深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王琴
优先权 ：
CN202180000921.6
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2021-08-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/495
申请日 : 20210310
申请日 : 20210310
2021-07-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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