化合物半导体开关电路装置
专利权的终止
摘要
一种化合物半导体开关电路装置，在开关MMIC中，具有为提高静电击穿电压，将控制电阻靠近共通输入端子焊盘及输出端子焊盘而配置，并利用焊盘的周边杂质区域连接保护元件的情况。但是，由于电阻值低的控制电阻和保护元件的寄生电容而产生高频信号的通路，存在绝缘劣化的问题。在与开关元件接近的保护元件间、及相邻的保护元件间的控制电阻上连接高电阻体。即使遮断高频信号的通路，并连接保护元件而存在寄生电容，也可以防止高频信号的泄漏。因此，可提高静电击穿电压，且可抑制绝缘的劣化。
基本信息
专利标题 ：
化合物半导体开关电路装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1794584A
申请号 ：
CN200510136182.6
公开（公告）日 ：
2006-06-28
申请日 ：
2005-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
浅野哲郎
申请人 ：
三洋电机株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李贵亮
优先权 ：
CN200510136182.6
主分类号 ：
H03K17/687
IPC分类号 ：
H03K17/687 H03K17/00
法律状态
2021-12-03 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H03K 17/687
申请日 : 20051220
授权公告日 : 20110504
终止日期 : 20201220
申请日 : 20051220
授权公告日 : 20110504
终止日期 : 20201220
2011-05-04 ：
授权
2006-08-23 ：
实质审查的生效
2006-06-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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