一种12英寸硅片减薄的工艺方法
公开
摘要
本发明公开了一种12英寸硅片减薄的工艺方法，所使用的减薄装置包括竖直放置的的载片圈、位于载片圈左右两侧的两个圆形的静压盘，两个静压盘在靠近载片圈的一侧分别具有用于安装左砂轮和右砂轮的空间，在位于各砂轮安装部位周围的静压盘上均匀分布有3个气孔和3个水孔；在位于静压盘上方的位置安装有齿轮，该齿轮带动载片圈转动；该方法包括如下步骤：(1)预先调整左右两个砂轮与待加工的硅片处于平行状态；(2)将倒角完成的切片垂直放入载片圈里，从气孔通入空气，并从水孔通入去离子水，使硅片保持平衡；(3)在减薄过程中，控制载片圈转速在0‑30rpm之间；控制左右两个砂轮的转速在2000‑6000rpm之间，砂轮给进速度在减薄过程中呈阶梯递减的方式。
基本信息
专利标题 ：
一种12英寸硅片减薄的工艺方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114290129A
申请号 ：
CN202111593664.X
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈海滨库黎明路一辰王玥刘云霞闫志瑞
申请人 ：
山东有研艾斯半导体材料有限公司
申请人地址 ：
山东省德州市经济技术开发区袁桥镇东方红路6596号中元科技创新创业园A座908室
代理机构 ：
北京北新智诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘秀青
优先权 ：
CN202111593664.X
主分类号 ：
B24B1/00
IPC分类号 ：
B24B1/00 B24B19/22 B24B41/04 B24B41/06 B24B47/22 H01L21/304 H01L21/67
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B24
磨削；抛光
B24B
用于磨削或抛光的机床、装置或工艺（用电蚀入B23H；磨料或有关喷射入B24C；电解浸蚀或电解抛光入C25F3/00；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给
B24B1/00
磨削或抛光的工艺；与此工艺有关的所用辅助设备
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
