一种辅助硅片减薄的电控吸附装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种辅助硅片减薄的电控吸附装置，包括基体及带膜贴片环，基体中心设有空心区域及基体凹台，在基体上表面设有多个不同形状的腔体、凹台及贯通的矩形走线槽，在基体下表面设有用于固定电磁铁的多个平头沉孔及将基体固定在相应的吸盘底座上的多个圆柱头沉孔，本实用新型提供了一种辅助硅片减薄的电控吸附装置，与现有技术相比，其制作简单，加工材料需求不高，成本低，风险低，经过实际的硅片减薄试验，此装置在磨削过程中能有效避免硅片在低于100μm之后的崩边和碎裂情况，经减薄的硅片厚度实测最低厚度小于70μm，由此可以实现硅片减薄过程中“带环减薄”的操作，将减薄到划片的流程简化，提高了成片率。
基本信息
专利标题 ：
一种辅助硅片减薄的电控吸附装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021517127.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-28
授权号 ：
CN212934581U
授权日 ：
2021-04-09
发明人 ：
石春生曹丽萍张万财王加初
申请人 ：
平凉市老兵科技研发有限公司
申请人地址 ：
甘肃省平凉市工业园区虹光电子高低压开关设备厂(院内)
代理机构 ：
成都弘毅天承知识产权代理有限公司
代理人 ：
汤春微
优先权 ：
CN202021517127.8
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2021-04-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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