硅片吸附装置及激光退火设备
授权
摘要
本实用新型公开了一种硅片吸附装置及激光退火设备，该硅片吸附装置具有能够吸附硅片的吸附面，吸附面包括吸附区域和标识区域，吸附区域被配置为能够吸附固定硅片，标识区域与吸附区域相邻设置，硅片被吸附区域吸附固定后，硅片的边缘至少部分落入标识区域内，标识区域与硅片具有不同的机器识别度。上述的硅片吸附装置能够提高硅片边缘提取精度及效率，硅片与吸盘对准效率高，有利于提高激光退火设备产能。相应地，本实用新型还提供一种激光退火设备。
基本信息
专利标题 ：
硅片吸附装置及激光退火设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920942568.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-21
授权号 ：
CN209747482U
授权日 ：
2019-12-06
发明人 ：
冒鹏飞蔡晨张德峰杨博光
申请人 ：
上海微电子装备(集团)股份有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区自由贸易试验区张东路1525号
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
胡彬
优先权 ：
CN201920942568.3
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/683 H01L21/268 H01L21/324
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2019-12-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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