一种用于提升MOCVD沉积效率的生产工艺
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种用于提升MOCVD沉积效率的生产工艺，包括第一道工艺：以第一方向作为带材的运动方向进行走带，沿第一方向上依次包括有放卷室、MOCVD沉积工艺室和收卷室；第二道工艺：调整走带方向，以与第一方向相反的第二方向为带材的运动方向进行走带；其中MOCVD沉积工艺室内设有第一挡板、喷淋头、加热弧形板和第二挡板，第一挡板和第二挡板沿第一方向相对且间隔设置在MOCVD沉积工艺室的两侧，第一挡板和第二挡板均位于带材之上，喷淋头和加热弧形板位于第一挡板与第二挡板之间且喷淋头位于加热弧形板之上。采用多道走带方向相反的沉积工艺，可以将生产效率提高至少50%以上。
基本信息
专利标题 ：
一种用于提升MOCVD沉积效率的生产工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114262881A
申请号 ：
CN202111595436.6
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-12-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
章鹏冯仁岳鹏张爱兵迮建军古宏伟蔡渊
申请人 ：
苏州新材料研究所有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区星湖街218号生物纳米园C18楼
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
范晴
优先权 ：
CN202111595436.6
主分类号 ：
C23C16/54
IPC分类号 ：
C23C16/54 C23C16/455 C23C16/40
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/54
连续镀覆的专用设备
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/54
申请日 : 20211224
申请日 : 20211224
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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