一种轻质、高导电薄膜的制备装置和制备工艺
实质审查的生效
摘要
本发明实施例提供了一种轻质、高导电薄膜的制备装置和制备工艺，该设备包括设置在真空室中的蒸镀腔室、过渡腔室和磁控溅射腔室，过渡腔室位于蒸镀腔室和磁控溅射腔室之间，蒸镀腔室、过渡腔室和磁控溅射腔室通过隔离板在真空室中隔离而成，蒸镀腔室用于对需要进行蒸发的基膜进行蒸镀，蒸镀后的基膜通过过渡腔室进入磁控溅射腔室对蒸发后的薄膜进行磁控溅射镀膜。本发明不仅成本较低，而且还能够使得镀膜后的薄膜表面的金属更加紧密，提高薄膜的导电性能。
基本信息
专利标题 ：
一种轻质、高导电薄膜的制备装置和制备工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114438456A
申请号 ：
CN202111602129.6
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-12-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
臧世伟
申请人 ：
重庆金美新材料科技有限公司
申请人地址 ：
重庆市綦江区古南街道桥河工业园区金福二路12号
代理机构 ：
北京卓岚智财知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
沈煜华
优先权 ：
CN202111602129.6
主分类号 ：
C23C14/24
IPC分类号 ：
C23C14/24 C23C14/35 C23C14/56
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/24
申请日 : 20211224
申请日 : 20211224
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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