一种高温自补偿SOI电阻的制造方法及结构
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种高温自补偿SOI电阻的制造方法及结构，属于集成电路制造领域。通过在SOICMOS工艺中增加的一步FOX工艺，形成氧化层结构，将POLY电阻和Well电阻实行电气隔离，同时将负温度系数的POLY电阻和正温度系数的Well电阻并联出来，构成高温自补偿SOI电阻结构，此高温自补偿SOI电阻在高温环境的温度系数为500ppm，优于工艺提供的单一阱电阻或者多晶电阻，逼近了金属薄膜电阻200ppm的能力。该高温自补偿SOI电阻结构具备温度自补偿特性，在‑55～225℃环境中电阻变化很小，是基准电路设计的必要结构，可应用于A/D、D/A、电源、电压监控等模拟电路，也可用于脉冲数字等高精度电路，主要用于高温、‑55～225℃的宽温区环境集成电路应用的设计制造需求。
基本信息
专利标题 ：
一种高温自补偿SOI电阻的制造方法及结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420687A
申请号 ：
CN202111615225.4
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
纪旭明顾祥李金航赵晓松宋帅张庆东吴建伟徐大为
申请人 ：
中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区惠河路5号
代理机构 ：
无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨强
优先权 ：
CN202111615225.4
主分类号 ：
H01L27/01
IPC分类号 ：
H01L27/01 H01L23/64
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/01
只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/01
申请日 : 20211227
申请日 : 20211227
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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