一种惯性传感器及其制备方法
实质审查的生效
摘要
公开了一种惯性传感器及其制备方法,方法包括:在第一衬底上形成第一介质层以及第一导电层;在第一导电层中形成第一开口以暴露出部分第一介质层的表面;在第一导电层上形成保护层,保护层覆盖部分第一导电层、第一开口的侧壁及第一开口暴露的第一介质层的表面;在部分第一导电层和部分保护层上形成具有第二开口的第二介质层;在第二介质层上形成第二导电层,第二导电层填充第二开口;在第二导电层上形成第一键合结构;图形化第二导电层,形成第三开口;经由第三开口去除部分第二介质层,形成空腔及可动质量块;去除空腔中的第一导电层和第一介质层表面暴露的保护层。本发明实施例的惯性传感器及其制备方法通过保护层保证了惯性传感器的可靠性。
基本信息
专利标题 :
一种惯性传感器及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114506812A
申请号 :
CN202111616431.7
公开(公告)日 :
2022-05-17
申请日 :
2021-12-27
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
汪建平季锋
申请人 :
杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰集成电路有限公司
申请人地址 :
浙江省杭州市黄姑山路4号
代理机构 :
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 :
蔡纯
优先权 :
CN202111616431.7
主分类号 :
B81C1/00
IPC分类号 :
B81C1/00 G01C21/16
IPC结构图谱
B
B部——作业;运输
B81
微观结构技术
B81C
专门适用于制造或处理微观结构的装置或系统的方法或设备
B81C1/00
在基片内或其上制造或处理的装置或系统
法律状态
2022-06-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : B81C 1/00
申请日 : 20211227
申请日 : 20211227
2022-05-17 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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