本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种金属化孔薄膜电路及其制备方法。本发明提供的金属化孔薄膜电路的制备方法，通过进行单独金属化，延长工序，不限制单工序产能负担，使得生产产能与无金属化孔生产产能一致，该方面可以正式应用于产业化，工艺余量较大，较容易进行大批量化工艺生产；再者，通过单独对孔进行金属化处理，减少同时金属金属化孔其他刻蚀工艺的影响，提高了薄膜电路金属孔的耐温性；由于本发明使用夹具为通用夹具，相对于选择性电镀利用光刻夹具(每种金属化孔图形都需要做一种夹具)而言，本发明能够在不使用夹具基础上，满足现有设计规则要求的金属化孔制备。