一种高调制带宽的垂直腔面发射激光器
公开
摘要
本发明公开了一种高调制带宽的垂直腔面发射激光器，由下到上分别为衬底层、下DBR层、有源区、氧化限制层、上DBR层以及最上端的P型电极，下DBR层上还敷设有N型电极，有源区由应变量子阱和势垒层构成，应变量子阱的生长晶向为衬底层的(110)方向。本发明所公开的垂直腔面发射激光器选择(110)方向生长应变量子阱，可以加剧重空穴带和轻空穴带之间的分裂，使得应变量子阱价带的有效质量最小，降低导带和价带结构的不对称性，从而降低激光器激射时所需要的反转粒子数，进而在较低的载流子注入时，可以使得有源区的微分增益显著提高；从而提高垂直腔面发射激光器器件的调制带宽和调制速率，使其具有更加优异的高速直调性能。
基本信息
专利标题 ：
一种高调制带宽的垂直腔面发射激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300944A
申请号 ：
CN202111677677.5
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李剑伟李洵
申请人 ：
山东大学
申请人地址 ：
山东省青岛市即墨区滨海路72号
代理机构 ：
青岛华慧泽专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘娜
优先权 ：
CN202111677677.5
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183 H01S5/343
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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