一种光敏芯片钝化结构
授权
摘要
本实用新型属于硅基探测器技术领域，旨在提供一种减少干扰，合格率高，易于实现的硅基探测器的光敏芯片钝化结构。本实用新型光敏芯片钝化结构包括保留原有在芯片表面的氧化硅钝化膜和聚酰亚胺膜，在氧化硅钝化膜同聚酰亚胺膜之间增加一层氮化硅钝化膜，用氮化硅钝化膜包裹氧化硅钝化膜，然后在用聚酰亚胺膜各个方向包裹氮化硅钝化膜，形成完整包裹型三层钝化膜结构。本实用新型钝化结构有效减少了离子污染，消除了器件在背景光照下输出干扰信号，提高了器件合格率。
基本信息
专利标题 ：
一种光敏芯片钝化结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122177079.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-09
授权号 ：
CN216698382U
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
罗杰平曾璞刘从吉周自希赖冬寅龚磊罗丹李敬张志波王兴伦石晨
申请人 ：
西南技术物理研究所
申请人地址 ：
四川省成都市武侯区人民南路四段七号
代理机构 ：
中国兵器工业集团公司专利中心
代理人 ：
刘二格
优先权 ：
CN202122177079.3
主分类号 ：
H01L31/0216
IPC分类号 ：
H01L31/0216 H01L31/18
法律状态
2022-06-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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