一种TVS芯片及其玻璃钝化方法、制造方法
授权
摘要
一种TVS芯片及其玻璃钝化方法、制造方法,玻璃钝化方法包括:涂覆步骤,通过刀刮法在沟槽表面涂覆玻璃浆;烘烤步骤,在第一预设温度下进行烘烤,挥发液体粘合剂;预烧结步骤,烘烤步骤结束后在第二预设温度下进行预烧结,热分解固体粘合剂;烧结步骤,预烧结步骤结束后在第三预设温度下进行烧结,烧结玻璃粉,得到玻璃钝化层。由于在进行烧结之前,通过低温烘烤的方式,将液体粘合剂进行烘烤挥发,在此过程中,由于毛细现象,玻璃浆沿着沟槽侧壁往上流动,使烘干后的沟槽底部玻璃浆变薄,沟槽侧壁的PN结区域的玻璃浆变厚。因此,采用一次刀刮法的玻璃钝化工艺,即可保证沟槽侧壁的玻璃钝化层厚度满足要求,节省了玻璃粉的成本,提高了涂覆效率。
基本信息
专利标题 :
一种TVS芯片及其玻璃钝化方法、制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114171416A
申请号 :
CN202210131245.2
公开(公告)日 :
2022-03-11
申请日 :
2022-02-14
授权号 :
CN114171416B
授权日 :
2022-06-03
发明人 :
李晓锋招景丰
申请人 :
浙江里阳半导体有限公司
申请人地址 :
浙江省台州市玉环市芦浦镇漩门工业区
代理机构 :
深圳鼎合诚知识产权代理有限公司
代理人 :
郭燕
优先权 :
CN202210131245.2
主分类号 :
H01L21/56
IPC分类号 :
H01L21/56 H01L21/329 H01L23/31 H01L29/861
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装,例如密封层、涂层
法律状态
2022-06-03 :
授权
2022-03-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/56
申请日 : 20220214
申请日 : 20220214
2022-03-11 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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