磁传感器
授权
摘要
本申请公开了一种磁传感器，包括：衬底，具有相对的第一表面与第二表面；凹槽，自第一表面向第二表面的方向延伸，凹槽的底面位于衬底中；第一伸缩部，位于凹槽的侧壁上；第一压电部，位于第一伸缩部上；第二伸缩部，位于第一表面上沿第一方向延伸；第二压电部，位于第二伸缩部上；第三伸缩部，位于第一表面上沿第二方向延伸；以及第三压电部，位于第三伸缩部上，其中，第一方向垂直于第一表面向第二表面的方向，第二方向垂直于第一表面向第二表面的方向，并且垂直于第一方向。
基本信息
专利标题 ：
磁传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122383424.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-28
授权号 ：
CN216351171U
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
金文超闻永祥孙福河
申请人 ：
杭州士兰集昕微电子有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市钱塘新区10号大街（东）308号13幢
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡纯
优先权 ：
CN202122383424.9
主分类号 ：
G01R33/09
IPC分类号 ：
G01R33/09
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/06
采用电磁器件
G01R33/09
磁电阻器件
法律状态
2022-04-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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