一种瞬态保护二极管
授权
摘要
本实用新型公开了一种瞬态保护二极管,包括二极管本体,所述二极管本体包括半导体衬底,所述半导体衬底上形成有多个第一P阱,多个所述第一P阱纵向排列,每个所述第一P阱中设置有多个N+注入区和P+注入区;在多个所述第一P阱的一侧形成有多个横向排列的注入区,相邻的两个注入区之间设置有第二P阱,多个所述第二P阱与注入区中设置有多个N+注入区和P+注入区;所述半导体衬底上形成金属层,所述金属层并联连接多个P+注入区形成正极,所述金属层并联多个N+注入区形成负极。本实用新型在半导体衬底上形成第一P阱和第二P阱;并在第一P阱、第二P阱和注入区形成N+注入区和P+注入区,减少响应时间,提高可靠性。
基本信息
专利标题 :
一种瞬态保护二极管
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202122818301.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-11-17
授权号 :
CN216250736U
授权日 :
2022-04-08
发明人 :
秦志方薛嘉文
申请人 :
美台高科(上海)微电子有限公司
申请人地址 :
上海市闵行区紫星路588号2幢14层296室
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202122818301.3
主分类号 :
H01L29/06
IPC分类号 :
H01L29/06 H01L29/861
法律状态
2022-04-08 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载