一种电容式芯片结构
授权
摘要
一种电容式芯片结构属于微机电系统（MEMS）技术领域，尤其涉及一种电容式芯片结构。本实用新型提供一种改进型的电容式芯片结构。本实用新型包括下极板（3）、中间极板（4）和上极板（6），下极板（3）与中间极板（4）之间为下腔体，上极板（6）与中间极板（4）之间为上腔体。
基本信息
专利标题 ：
一种电容式芯片结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123041573.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-06
授权号 ：
CN216246919U
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
姜贵民杨超
申请人 ：
姜贵民
申请人地址 ：
辽宁省沈阳市沈河区北京街19-1号（1-19-2）
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202123041573.3
主分类号 ：
G01L1/14
IPC分类号 ：
G01L1/14 G01L9/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01L
测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力
G01L1/00
力或应力的一般计量
G01L1/14
通过测量电元件的电容量或电感量的变化，例如，测量电振荡器的频率变化
法律状态
2022-04-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
