晶片蒸镀前用于隔挡蒸发源的护围及顶盖结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种晶片蒸镀前用于隔挡蒸发源的护围及顶盖结构，其特征在于：包括围设在金属熔源外周的护围和罩在护围上方的顶盖，所述顶盖包括圆形顶板和上端固定连接在圆形顶板周围并形成一体的圆锥形围板，所述圆锥形围板的下缘超出护围外。本实用新型晶片蒸镀前用于隔挡蒸发源的护围及顶盖结构设计合理，能够减少或避免蒸镀过程中产生的漏源问题，可提高晶片蒸镀品质。
基本信息
专利标题 ：
晶片蒸镀前用于隔挡蒸发源的护围及顶盖结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123053105.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-07
授权号 ：
CN216663215U
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
洪石生曲艳凯姜宏达
申请人 ：
厦门吉顺芯微电子有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市集美区集美北部工业区环珠路501号
代理机构 ：
福州元创专利商标代理有限公司
代理人 ：
林捷
优先权 ：
CN202123053105.8
主分类号 ：
C23C14/30
IPC分类号 ：
C23C14/30 C23C14/16 C23C14/18
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/28
波能法或粒子辐射法
C23C14/30
电子轰击法
法律状态
2022-06-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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