一种用于晶圆注入机构的升温静电吸盘
授权
摘要
本实用新型提供一种用于晶圆注入机构的升温静电吸盘，其用于超低温离子注入平台，所述用于晶圆注入机构的升温静电吸盘包括静电吸盘主体(311)，静电吸盘主体(311)为圆盘状或板状，用于晶圆注入机构的升温静电吸盘至少为四层以上结构；静电吸盘主体(311)下部设置有真空升温平台(51)，真空升温平台(51)辐射加热静电吸盘主体(311)。其具有的多层结构，提升了静电吸盘的柔性，使其能够使用于超低温晶圆注入工艺；并且其中的印刷电极柔性层采用聚酰亚胺薄膜的介电质膜，使得用于晶圆注入机构的升温静电吸盘能够承受剧烈的温度变化，其具有从室温直至零下160度之间的工作温度。
基本信息
专利标题 ：
一种用于晶圆注入机构的升温静电吸盘
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123301856.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-24
授权号 ：
CN216528827U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
刘金涛康劲王振辉雷晓刚卢合强王辉夏世伟高国珺沈斌贾礼宾张劲郑皓文侯爽张彦彬李恒
申请人 ：
北京凯世通半导体有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区地盛西路1号数码庄园A2座
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202123301856.7
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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