一种晶圆注入真空升温模块
授权
摘要
本实用新型提供一种晶圆注入真空升温模块，其适用于对经过超低温离子加工或超低温离子注入的晶圆进行升温，晶圆注入真空升温模块包括温度控制器以及升温装置，温度控制器用于升温的速度和温度上限，升温装置与温度控制器相连，升温装置与低温晶圆相关联；升温装置上固定设置有晶圆固持部，晶圆固持部对每一个晶圆实现单独升温。本实用新型在每片晶圆完成注入后立即进行升温，使每片晶圆在升温过程中处于超低温的时间为例如三至五分钟，相比现有技术明显缩短，晶圆处于超低温的时间越短则越不易有杂质附着，从而极大程度上避免了对离子注入之后晶圆造成缺陷。
基本信息
专利标题 ：
一种晶圆注入真空升温模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123301795.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-24
授权号 ：
CN216528783U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
康劲刘金涛关天祺王振辉夏世伟沈斌卢合强高国珺贾礼宾张劲肖嘉星王亚张晓伟查泽奇
申请人 ：
北京凯世通半导体有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区地盛西路1号数码庄园A2座
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202123301795.4
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/683
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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