一种声表面波传感器及其制备方法
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种声表面波传感器及其制备方法,涉及传感器技术领域,本发明的声表面波传感器及其制备方法,包括在硅衬底上依次铺设的键合层、金属层和单晶压电薄膜层,单晶压电薄膜层上设置有叉指电极。本发明提供的声表面波传感器及其制备方法,能够提高声表面波传感器的灵敏度、增强机电耦合效应。

基本信息
专利标题 :
一种声表面波传感器及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114335319A
申请号 :
CN202210008827.1
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2022-01-06
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
林炳辉刘炎蔡耀詹道栋孙成亮孙博文
申请人 :
武汉敏声新技术有限公司
申请人地址 :
湖北省武汉市东湖新技术开发区花城大道9号武汉软件新城三期D7栋4层01号
代理机构 :
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
崔熠
优先权 :
CN202210008827.1
主分类号 :
H01L41/047
IPC分类号 :
H01L41/047  H01L41/113  H01L41/29  H01L41/312  H03H3/08  H03H9/25  
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 41/047
申请日 : 20220106
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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