侧面腔体结构的氮化铝多层陶瓷的制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种侧面腔体结构的氮化铝多层陶瓷的制作方法，主要步骤有：将所述氮化铝生瓷片进行叠片，形成层叠体，层叠体中形成有主腔体和侧面腔体，同时，第一填充件填充在所述侧面腔体中，第二填充件填充件填充在所述主腔体中；真空包封后层压成型；去除第一填充件和第二填充件等，最后再烧结获得侧面腔体结构的氮化铝多层陶瓷。该制作方法能够很好的防止腔体变形，并且可操作性高，层压后产品状态良好，方便后期陶瓷‑金属的焊接。
基本信息
专利标题 ：
侧面腔体结构的氮化铝多层陶瓷的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520152A
申请号 ：
CN202210017561.7
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2022-01-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王宁张志成高磊计雨辰
申请人 ：
中国电子科技集团公司第四十三研究所
申请人地址 ：
安徽省合肥市高新技术开发区合欢路19号
代理机构 ：
合肥天明专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
张梦媚
优先权 ：
CN202210017561.7
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L23/04 H01L23/08
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/48
申请日 : 20220107
申请日 : 20220107
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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