多台阶腔体结构的LTCC基板制作方法及LTCC基板

授权

摘要

本发明提出了一种多台阶腔体结构的LTCC基板制作方法及LTCC基板，该多台阶腔体结构的LTCC基板制作方法包括：对单层生瓷片实施打孔、填孔、印刷工艺及开腔体制作，得到开腔体后的单层生瓷片；制作腔体结构的顶面保护板；制作嵌件塞，用于实现腔体结构中的底层腔体的保护和支撑；将多个开腔体后的单层生瓷片进行叠片，并将嵌件塞填充入腔体结构中的底层腔体中；按照预设的叠片工艺顺序对开腔体后的单层生瓷片在腔体结构中的上层腔体中进行叠片及工装组合，得到LTCC生瓷堆；将LTCC基板实施层压及共烧工艺，完成多台阶腔体结构的生瓷坯向熟瓷坯的转换，实现多台阶腔体结构的LTCC基板制作。

基本信息

专利标题：

多台阶腔体结构的LTCC基板制作方法及LTCC基板

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112437542A

申请号：

CN202011282404.6

公开（公告）日：

2021-03-02

申请日：

2020-11-16

授权号：

CN112437542B

授权日：

2022-05-24

发明人：

赵燕邓云凯喻忠军徐正霍锐张长凤赵元沛

申请人：

中国科学院空天信息创新研究院

申请人地址：

北京市海淀区北四环西路19号

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

孙蕾

优先权：

CN202011282404.6

主分类号：

H05K3/00

IPC分类号：

H05K3/00