用于集成电路电性失效分析的芯片测控系统及测试方法
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摘要

本发明公开了用于集成电路电性失效分析的芯片测控系统及测试方法,该系统实现了不同封装形式的待测失效芯片与光电检测仪之间灵活可靠的光信号耦合,并且通过上位机、失效芯片装卡组件和失效芯片测控组件之间的交互为待测失效芯片提供了进入并保持特定失效状态的触发手段;其次,通过对待测失效芯片的失效表征工作电流进行连续采样和实时检测,确保了对待测失效芯片失效态的识别和监控。最后,通过环境变量传感模块实现了对待测失效芯片检测环境的实时监测。

基本信息
专利标题 :
用于集成电路电性失效分析的芯片测控系统及测试方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114089171A
申请号 :
CN202210058696.8
公开(公告)日 :
2022-02-25
申请日 :
2022-01-19
授权号 :
CN114089171B
授权日 :
2022-05-03
发明人 :
王威王德钊郭澍孔昊马洪涛楼莉任凤丽郭剑虹
申请人 :
北京软件产品质量检测检验中心
申请人地址 :
北京市海淀区中关村软件园3号楼A座1242-1256号房间
代理机构 :
北京星通盈泰知识产权代理有限公司
代理人 :
黄正奇
优先权 :
CN202210058696.8
主分类号 :
G01R31/28
IPC分类号 :
G01R31/28  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R31/28
•电路的测试,例如用信号故障寻测器
法律状态
2022-05-03 :
授权
2022-03-15 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/28
申请日 : 20220119
2022-02-25 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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