通过膜厚量化光刻机漏光的方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种通过膜厚量化光刻机漏光的方法。其包括如下步骤：步骤1、提供量化基准光刻胶，并确定所述量化基准光刻胶层的留膜率；步骤2、得到量化基准光刻胶在不同曝光剂量下曝光显影后的量化基准光刻胶膜层厚度损失量；步骤3、构建当前量化基准光刻胶在不同曝光剂量下的量化基准光刻胶膜层厚度真实损失量对照图表；步骤4、得到在产线工艺光刻版以及不同曝光剂量下量化基准光刻胶相应的量化基准光刻胶膜层厚度产线工艺损失量；步骤5、确定使用产线工艺光刻版时不同曝光剂量下的光刻机漏光量。本发明能实现对单台光刻机漏光的量化，漏光的量化过程简单可靠。
基本信息
专利标题 ：
通过膜厚量化光刻机漏光的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114488708A
申请号 ：
CN202210087411.3
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
董辉李建国李凯葛长浩余灿文
申请人 ：
江苏中科汉韵半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市徐州经济技术开发区创业路26号A-2厂房1F-2F
代理机构 ：
苏州国诚专利代理有限公司
代理人 ：
韩凤
优先权 ：
CN202210087411.3
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20220125
申请日 : 20220125
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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