一种基于薄膜铌酸锂的偏振无关电光调制器及其制备方法
实质审查的生效
摘要

本发明涉及电光调制器技术领域,提出一种基于薄膜铌酸锂的偏振无关电光调制器及其制备方法,包括基底层,基底层顶部设置有薄膜铌酸锂平板层,薄膜铌酸锂平板层上设置有作为输入波导的第一端面耦合器、偏振旋转分束器、两个马赫曾德尔干涉仪、偏振旋转合束器、作为输出波导的第二端面耦合器,以及用于输入射频信号和偏置电压的电极;两个马赫曾德尔干涉仪在薄膜铌酸锂平板层上对称设置。本发明中的电极和马赫曾德尔干涉仪结合形成马赫曾德尔调制器用于实现电光调制,实现在铌酸锂薄膜上对任意偏振态输入都可以进行偏振无关调制。

基本信息
专利标题 :
一种基于薄膜铌酸锂的偏振无关电光调制器及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114415400A
申请号 :
CN202210109306.5
公开(公告)日 :
2022-04-29
申请日 :
2022-01-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
蔡鑫伦潘颖
申请人 :
中山大学
申请人地址 :
广东省广州市海珠区新港西路135号
代理机构 :
广州粤高专利商标代理有限公司
代理人 :
禹小明
优先权 :
CN202210109306.5
主分类号 :
G02F1/035
IPC分类号 :
G02F1/035  G02B27/28  G02F1/21  G02F1/225  G02F1/01  G02B6/34  G02B6/136  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置,例如转换、选通、调制或解调,上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的;用于上述操作的技术或工艺;变频;非线性光学;光学逻辑元件;光学模拟/数字转换器
G02F1/00
控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置,例如,转换、选通或调制;非线性光学
G02F1/01
对强度、相位、偏振或颜色的控制
G02F1/03
基于陶瓷或电—光晶体的,例如,显示泡克耳斯或科尔效应的
G02F1/035
在光波导结构中的
法律状态
2022-05-20 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G02F 1/035
申请日 : 20220128
2022-04-29 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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