一种基于磁电耦合的体声波磁场传感器及其优化方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种基于磁电耦合的体声波磁场传感器及其优化方法，其结构包括磁性复合薄膜和体声波谐振器；磁性复合薄膜包括FeGaB磁致伸缩薄膜以及插入在FeGaB磁致伸缩薄膜中的Al2O3薄膜；体声波谐振器包括依次设置的Mo电极薄膜、AIN压电薄膜和硅基底。本发明设计的体声波磁场传感器采用了复合磁膜薄膜，抑制了涡流损耗并增强了软磁特性；同时采用压磁相/压电相双层结构设计，提高了磁电(ME)耦合效率；利用谐振增强ME耦合效应，通过设计压电相/压磁相、电极层的厚度，使传感器工作在复合薄膜的铁磁谐振频率，进一步提高了能量转化效率。由此得到体声波磁电耦合磁场传感器的性能优化方法。
基本信息
专利标题 ：
一种基于磁电耦合的体声波磁场传感器及其优化方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114462281A
申请号 ：
CN202210111158.0
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
任万春李金桐顾志均刘国陈锶陈佳荣李建波李君儒高杨
申请人 ：
西南科技大学
申请人地址 ：
四川省绵阳市涪城区青龙大道中段59号
代理机构 ：
北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
代维凡
优先权 ：
CN202210111158.0
主分类号 ：
G06F30/23
IPC分类号 ：
G06F30/23 G16C60/00 G16C10/00 G01R33/02 G06F111/06 G06F113/26 G06F119/14
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/23
使用有限元方法或有限差方法
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 30/23
申请日 : 20220127
申请日 : 20220127
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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