一种金属材质镀膜设备表面半导体沉积物的清除及回收方法
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种金属材质镀膜设备表面半导体沉积物的清除及回收方法,利用金属延展性、塑性与半导体脆性的特性差异,将颗粒状碳酸氢钠晶体喷射至附有半导体沉积物的金属材质镀膜表面,通过晶体碎裂后沿着半导体沉积物薄膜表面散射过程中产生紧密的磨削作用与表面温差,实现半导体沉积物与金属镀膜设备表面之间的高效分离,收集喷射出的半导体及碳酸氢钠碎片,加水溶解除去碳酸氢钠并分离回收得到半导体沉积物粉体材料。本发明能有效去除金属材质表面的半导体沉积物,对金属镀膜设备表面无损伤,操作简单、安全且工艺环保。在回收有价值的半导体沉积物的同时减少了污染。

基本信息
专利标题 :
一种金属材质镀膜设备表面半导体沉积物的清除及回收方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114505281A
申请号 :
CN202210132151.7
公开(公告)日 :
2022-05-17
申请日 :
2022-02-11
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
王明亮江周宇李晓萱徐加乐
申请人 :
东南大学
申请人地址 :
江苏省南京市江宁区东南大学路2号
代理机构 :
南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
代理人 :
王艳
优先权 :
CN202210132151.7
主分类号 :
B08B3/02
IPC分类号 :
B08B3/02  B08B3/08  B08B13/00  
IPC结构图谱
B
B部——作业;运输
B08
清洁
B08B
一般清洁;一般污垢的防除
B08B3/00
使用液体或蒸气的清洁方法
B08B3/02
用喷射力来清洁
法律状态
2022-06-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : B08B 3/02
申请日 : 20220211
2022-05-17 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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