一种每测试站单制程的卡控良率标准的方法
公开
摘要
本发明揭示了一种每测试站单制程的卡控良率标准的方法，包括如下步骤：S100、前一测试站执行完晶圆测试后，获得前一测试站测得的制程良率；S200、当前测试站执行完晶圆测试后，获得当前测试站测得的制程良率；S300、根据所述前一测试站测得的制程良率、当前测试站测得的制程良率，对二者进行比对，通过比对相邻两站良率差异进行每测试站单制程的良率卡控。本发明可直接确定每测试站的单制程良率，针对每测试站的单制程进行卡控，有利于区分非当站别的良率异常。
基本信息
专利标题 ：
一种每测试站单制程的卡控良率标准的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566438A
申请号 ：
CN202210164804.X
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-02-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈聪张亦锋朱思琴
申请人 ：
上海利扬创芯片测试有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区永盛路2229号3幢1层、2层
代理机构 ：
北京前审知识产权代理有限公司
代理人 ：
张静
优先权 ：
CN202210164804.X
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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