一种基于MEMS工艺的超低频垂直轴硅微敏感结构及制造方法
公开
摘要
本发明公开了一种基于MEMS工艺的超低频垂直轴硅微敏感结构及制造方法，顶层为镀有磁性薄膜的MEMS单片，中层为附加锚点和附加质量，底层为镀有金属薄膜的MEMS单片。中层附加锚点和附加质量键合于底层单片MEMS结构表面之上，顶层单片MEMS结构键合于中层附加锚点和附加质量之上，形成一个具有三维弹性梁构造的超低频垂直轴硅微敏感结构。该敏感结构谐振频率低至10Hz左右，机械灵敏度极高，具有检测超微小加速度、位移、重力变化的能力，兼容MEMS微加工工艺，交叉串扰极低，适用于微型化的超高精度加速度计、地震计、重力计等惯性仪器中。
基本信息
专利标题 ：
一种基于MEMS工艺的超低频垂直轴硅微敏感结构及制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114560439A
申请号 ：
CN202210181556.X
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-02-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨波李成郑翔黄鑫孙震宇陈新茹
申请人 ：
东南大学
申请人地址 ：
江苏省南京市玄武区四牌楼2号
代理机构 ：
南京众联专利代理有限公司
代理人 ：
薛雨妍
优先权 ：
CN202210181556.X
主分类号 ：
B81B7/00
IPC分类号 ：
B81B7/00 B81B7/02 B81C1/00 G01L1/10 G01P15/097 G01V1/18
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B81
微观结构技术
B81B
微观结构的装置或系统，例如微观机械装置
B81B7/00
微观结构系统
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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