基于疏水合成体系的硒化铅纳米棒可控生长方法
公开
摘要
本发明涉及一种基于疏水合成体系的硒化铅纳米棒可控生长方法，包括步骤：制备硒源；制备油酸铅作为铅源；采用热注入法制备PbSe纳米棒；提纯分离，得到PbSe纳米棒溶液；制备并保存PbSe纳米棒，向制得的PbSe纳米棒溶液中加入正己烷溶液，分散制备PbSe纳米棒。本发明的有益效果是：以氧化铅作为铅源，硒粉作为硒源，通过控制反应物化学计量比、反应温度和反应时间，控制PbSe纳米棒的合成过程；通过热注入法在油相环境下合成形貌相对统一且尺寸分布均匀、光稳定性高、荧光效率高、吸收和光致发光范围可调的PbSe纳米棒；PbSe纳米棒能实现近红外波段的吸收光谱以及发射光谱范围可调。
基本信息
专利标题 ：
基于疏水合成体系的硒化铅纳米棒可控生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114620693A
申请号 ：
CN202210212309.1
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-03-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
毕岗姚钟祥
申请人 ：
浙大城市学院
申请人地址 ：
浙江省杭州市拱墅区湖州街51号
代理机构 ：
杭州九洲专利事务所有限公司
代理人 ：
张羽振
优先权 ：
CN202210212309.1
主分类号 ：
C01B19/04
IPC分类号 ：
C01B19/04 B82Y30/00 B82Y40/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B19/00
硒；碲；其化合物
C01B19/04
二元化合物
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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