垂直腔面发射激光器及具有其的电子设备、制造方法
公开
摘要
本公开提供了一种垂直腔面发射激光器及具有其的电子设备、制造方法，该垂直腔面发射激光器包括衬底层、第一电极层、第一反射器层、发光层、第二反射器层、第二电极层和钝化层，其中钝化层上设置有刻蚀区域和未刻蚀区域，刻蚀区域的中心位置与发光层中氧化孔径中心的位置相对应，刻蚀区域的厚度不等于激光出射半波长的整数倍，未刻蚀区域的厚度等于激光出射半波长的整数倍。由于光链路系统的反射光一般从氧化孔径中心入射到激光器，对基横模影响较大，并影响了模式分布及噪声，导致系统整体稳定性下降，而本公开中由于垂直腔面发射激光器的钝化层被部分刻蚀，使得基横模被抑制，进而减轻或者消除了光链路系统反射光对激光器模式及噪声的影响。
基本信息
专利标题 ：
垂直腔面发射激光器及具有其的电子设备、制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114583550A
申请号 ：
CN202210218793.9
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王嘉星胡华文
申请人 ：
深圳博升光电科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼2401
代理机构 ：
北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
郭栋梁
优先权 ：
CN202210218793.9
主分类号 ：
H01S5/028
IPC分类号 ：
H01S5/028 H01S5/065 H01S5/183
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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