晶圆曝光布局的计算方法、装置、电子设备及存储介质
公开
摘要
本申请提供了一种晶圆曝光布局的计算方法、装置、电子设备及存储介质，所述计算方法包括：根据预先设置的步进偏移量移动曝光栅格区域，并计算待曝光晶圆中的曝光晶粒在目标曝光区域中的数量；根据曝光栅格区域移动的次数，确定曝光栅格区域移动的总偏移量是否超过预设阈值，若超过，则将数量最大的曝光晶粒所对应的曝光栅格区域作为待曝光晶圆的目标曝光布局，以按照目标曝光布局对待曝光晶圆进行曝光。采用本申请提供的技术方案能够通过设置步进偏移量多次移动曝光栅格区域，将数量最大的曝光晶粒所对应的曝光栅格区域作为待曝光晶圆的目标曝光布局，简化了操作步骤，提高晶圆产品良率的同时提高了晶圆曝光过程的工作效率。
基本信息
专利标题 ：
晶圆曝光布局的计算方法、装置、电子设备及存储介质
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114578659A
申请号 ：
CN202210219494.7
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张叶曲越奇张香兰姚昕明高建利
申请人 ：
北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所）
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区泰河三街1号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
于彬
优先权 ：
CN202210219494.7
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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