曝光装置
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供一种曝光装置，在将由感光层和支承体叠层形成的感光薄膜的所述感光层侧粘附在衬底上构成的板状叠层体中的感光层，将规定的图案曝光时，尽量减小支承体被剥离后的板状叠层体中的感光层与氧之间的反应。为了实现这个目的，在曝光装置(1)内设置用于从感光材料(150)剥离支承体的剥离装置(180)，通过剥离装置(180)从感光材料(150)剥离支承体后，立即通过扫描机构(162)在感光材料(150)进行图案的曝光。
基本信息
专利标题 ：
曝光装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101057315A
申请号 ：
CN200580037875.8
公开（公告）日 ：
2007-10-17
申请日 ：
2005-11-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
佐佐木义晴
申请人 ：
富士胶片株式会社
申请人地址 ：
日本国东京都
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
朱丹
优先权 ：
CN200580037875.8
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 G03F7/20 G03F7/004 H05K3/00 G03F7/038
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2008-07-30 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-10-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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