一种曝光系统的曝光视场标定方法、装置及电子设备

实质审查的生效

摘要

本申请提供一种曝光系统的曝光视场标定方法、装置及电子设备，包括：根据能量传感器在第一曝光视场的各视场边缘测试点采集到的光强值，确定物镜光轴中心偏移量和第一曝光视场的第一实际大小；根据能量传感器在第二曝光视场的各视场边缘测试点采集到的光强值，确定第二曝光视场的第二实际大小；根据第一实际大小和第二实际大小，确定曝光视场的大小增益和曝光视场的大小偏移量；根据物镜光轴中心偏移量、曝光视场的大小增益和曝光视场的大小偏移量，对曝光视场进行标定。本申请通过采用两个不同大小的曝光视场，在实现视场中心以及视场大小标定的同时，简化视场标定过程。

基本信息

专利标题：

一种曝光系统的曝光视场标定方法、装置及电子设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114545744A

申请号：

CN202210281410.2

公开（公告）日：

2022-05-27

申请日：

2022-03-21

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

张欣悦王兵锋宁金娜宫晨

申请人：

北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所）

申请人地址：

北京市北京经济技术开发区泰河三街1号

代理机构：

北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

高燕

优先权：

CN202210281410.2

主分类号：

G03F7/20

IPC分类号：

G03F7/20

IPC结构图谱

G部——物理

G03

摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术

G03F

图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备

G03F7/00

图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备

G03F7/20

曝光及其设备

法律状态

2022-06-14 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20220321

2022-05-27 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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