封装有光电探测器的铌酸锂薄膜强度调制器及其制备方法
实质审查的生效
摘要

本发明公开一种封装有光电探测器的铌酸锂薄膜强度调制器及其制备方法,通过在铌酸锂薄膜强度调制器内部制作定向耦合器的结构,把铌酸锂薄膜强度调制器的泄露光传输到与铌酸锂薄膜强度调制器封装在一个封装壳体内的探测器,探测器的信号输出端直接与封装壳体上的引针连接,封装壳体的引针直接与偏置控制电路连接从而将泄漏光转换的电信号反馈给偏置控制电路能够实现铌酸锂薄膜强度调制器的工作点功率监控。本发明提供的上述结构降低了电路损耗,结构紧凑,简化了铌酸锂薄膜强度调制器监控电路的装配结构。

基本信息
专利标题 :
封装有光电探测器的铌酸锂薄膜强度调制器及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114527539A
申请号 :
CN202210226417.4
公开(公告)日 :
2022-05-24
申请日 :
2022-03-09
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
李俊慧王旭阳赵颖超
申请人 :
北京世维通科技股份有限公司
申请人地址 :
北京市海淀区翠微路甲10号1幢3层307
代理机构 :
北京信诺创成知识产权代理有限公司
代理人 :
任万玲
优先权 :
CN202210226417.4
主分类号 :
G02B6/125
IPC分类号 :
G02B6/125  G02B6/13  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B6/00
光导;包含光导和其他光学元件的装置的结构零部件
G02B6/10
光波导式的
G02B6/12
集成光路类型
G02B6/122
基本光学元件,例如,传导光的光路
G02B6/125
弯转、分支或交叉
法律状态
2022-06-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G02B 6/125
申请日 : 20220309
2022-05-24 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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