MEMS薄膜真空计及其制备方法
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摘要
本发明提出一种MEMS薄膜真空计及其制备方法，包括叠置的第一衬底、第二衬底、第三衬底；第一密闭腔体和第二密闭腔体，间隔封闭于所述第一衬底及第三衬底之间；第一电极，对应于所述第一衬底位于所述第一密闭腔体之上的区域；敏感薄膜，对应于所述第一衬底位于所述第二密闭腔体之上的区域；第一止挡层，设置于所述第一电极下方的第一密闭腔体内；第二止挡层，设置于所述敏感薄膜下方的第二密闭腔体内；所述第一止挡层、所述第二止挡层经刻蚀所述第二衬底形成。在同一个晶圆上集成了MEMS电容式薄膜真空计与压阻式薄膜真空计，工艺简便，在保证两种真空计灵敏度和线性度的前提下，有效提升了MEMS薄膜真空计的量程。
基本信息
专利标题 ：
MEMS薄膜真空计及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114314498A
申请号 ：
CN202210244071.0
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-03-14
授权号 ：
CN114314498B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
王广猛史晓晶柳俊文
申请人 ：
南京元感微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市高新开发区星火路17号创智大厦B座6楼
代理机构 ：
北京中知法苑知识产权代理有限公司
代理人 ：
李明
优先权 ：
CN202210244071.0
主分类号 ：
B81B7/02
IPC分类号 ：
B81B7/02 B81C3/00 G01L21/00
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B81
微观结构技术
B81B
微观结构的装置或系统，例如微观机械装置
B81B7/00
微观结构系统
B81B7/02
包括功能上有特定关系的不同的电或光学装置，例如微电子—机械系统
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B81B 7/02
申请日 : 20220314
申请日 : 20220314
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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