一种带有渐变隧穿结的砷化镓太阳电池及其制作方法
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摘要
本发明涉及砷化镓太阳电池技术领域，具体涉及一种带有渐变隧穿结的砷化镓太阳电池及其制作方法，该电池自下向上依次为Ge衬底、底电池、缓冲层、第一隧穿结、DBR、中电池、第二隧穿结、顶电池和盖帽层；第一隧穿结和第二隧穿结结构相同，均采用渐变隧穿结结构N++Alx1Gay1InP/P++Alx2Gay2As，其中x1、y1的范围为0‑0.51，x2的范围为0‑0.5，y2的范围为0.5‑1。本发明太阳电池采用渐变隧穿结结构，可提升隧穿结的隧穿能力，降低隧穿结两侧的压降，减少隧穿结的吸光能力，提升中电池的电流密度，还可改善隧穿结界面的晶体质量，提高太阳电池产品的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种带有渐变隧穿结的砷化镓太阳电池及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335215A
申请号 ：
CN202210249010.3
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-03-15
授权号 ：
CN114335215B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
徐培强李俊承林晓珊潘彬王向武
申请人 ：
南昌凯迅光电股份有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市临空经济区黄堂西街199号
代理机构 ：
南昌金轩知识产权代理有限公司
代理人 ：
殷康明
优先权 ：
CN202210249010.3
主分类号 ：
H01L31/0352
IPC分类号 ：
H01L31/0352 H01L31/0687 H01L31/18
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0352
申请日 : 20220315
申请日 : 20220315
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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