一种新型砷化镓太阳电池及制作方法
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摘要
本发明涉及一种新型砷化镓太阳电池及制作方法，属于太阳电池技术领域。所述一种新型砷化镓太阳电池衬底层、于所述衬底层依次外延生长的底电池、GaAs缓冲层、第一隧穿结、第一DBR层、中电池、第二隧穿结、第二DBR层、顶电池和盖帽层；通过在中电池和顶电池中分别在靠近窗口层一侧采用含Al的组分渐变有源区，可改善因不同材料之间折射率的不同而引起的反射情况，提高太阳光的吸收几率，增加太阳电池对太阳光的吸收，提高太阳电池的光电转换效率和抗辐照性能。
基本信息
专利标题 ：
一种新型砷化镓太阳电池及制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335208A
申请号 ：
CN202210254513.X
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-03-16
授权号 ：
CN114335208B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
徐培强李俊承林晓珊潘彬王向武
申请人 ：
南昌凯迅光电股份有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市临空经济区黄堂西街199号
代理机构 ：
南昌金轩知识产权代理有限公司
代理人 ：
张震东
优先权 ：
CN202210254513.X
主分类号 ：
H01L31/0304
IPC分类号 ：
H01L31/0304 H01L31/0687 H01L31/18
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0304
申请日 : 20220316
申请日 : 20220316
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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