一种消泡型芯片封装工艺
公开
摘要

本发明公开了一种消泡型芯片封装工艺,属于芯片封装领域,一种消泡型芯片封装工艺,可以实现在常态环境下消除芯片封装过程中产生的气泡,通过将磁粉加入至树脂内部形成具有磁性的磁性树脂,并将电磁铁设置在芯片的下方,借助电磁铁对磁性树脂内部磁粉的磁性吸引,使得磁粉带动树脂均匀紧密的填充在芯片上方的缝隙中,有效的消除树脂封装芯片过程中产生气泡,并且磁性树脂内部包含的磁粉固化后可以有效的提升封装层磁性树脂的导热性,在一定程度上提升了芯片的品质,同时,通过将封装结束后的芯片放置在交流退磁箱内部,可以有效的将磁性树脂内部的磁粉进行脱磁处理,避免芯片在使用时受到磁性干扰,有利于保障芯片使用稳定性。

基本信息
专利标题 :
一种消泡型芯片封装工艺
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114597135A
申请号 :
CN202210264944.4
公开(公告)日 :
2022-06-07
申请日 :
2022-03-17
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
赖泽联胡鑫苏晓亭杨虎成
申请人 :
江苏华芯智造半导体有限公司
申请人地址 :
江苏省徐州市睢宁县双沟镇临空大道1号
代理机构 :
徐州先卓知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
于浩
优先权 :
CN202210264944.4
主分类号 :
H01L21/56
IPC分类号 :
H01L21/56  H01L21/67  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装,例如密封层、涂层
法律状态
2022-06-07 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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