一种失效芯片的剥层方法
授权
摘要
本发明公开了一种失效芯片的剥层方法，其至少包括以下步骤：获取待分析的失效芯片，确认失效芯片的目标区域；预处理失效芯片，以露出目标区域的金属布线；移除金属布线，并清洗失效芯片；以及研磨目标区域的介质层，以获得剥层样品；其中，移除金属布线的步骤包括：在金属布线上粘贴黏膜；以及待黏膜与金属布线粘合后，去除黏膜，以移除金属布线。本发明提供了一种失效芯片的剥层方法，可提升芯片物理剥层的均匀性。
基本信息
专利标题 ：
一种失效芯片的剥层方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114354665A
申请号 ：
CN202210274980.9
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2022-03-21
授权号 ：
CN114354665B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
俞佩佩王丽雅胡明辉
申请人 ：
晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
王积毅
优先权 ：
CN202210274980.9
主分类号 ：
G01N23/2202
IPC分类号 ：
G01N23/2202
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N23/00
利用波或粒子辐射来测试或分析材料，例如未包括在G01N3/00-G01N17/00、G01N 21/00 或G01N 22/00中的X射线或中子
G01N23/22
通过测量材料的二次发射
G01N23/2202
样品制备
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 23/2202
申请日 : 20220321
申请日 : 20220321
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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