一种疏水性LED芯片及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种疏水性LED芯片及其制备方法，方法包括：获取一衬底，在衬底上形成外延层；在外延层表面依次形成电流阻挡层、电流扩展层、金属导电层以及钝化层，对钝化层光刻、蚀刻以及去光刻胶后，得到LED晶圆；对LED晶圆的表面进行SiH4或CF4等离子体轰击、以对LED晶圆的表面进行改性处理，得到疏水性LED晶圆，通过疏水性LED晶圆制得疏水性LED芯片。上述疏水性LED芯片及其制备方法，通过用SiH4或CF4等离子体对LED芯片的钝化层表面进行改性处理，形成疏水性钝化层，来防止水汽吸附及渗入，从而改善LED芯片漏电，提升可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种疏水性LED芯片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497296A
申请号 ：
CN202210328384.4
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-03-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许明明董国庆文国昇董建民
申请人 ：
江西兆驰半导体有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
代理机构 ：
南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘红伟
优先权 ：
CN202210328384.4
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/44
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20220331
申请日 : 20220331
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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