用于氢敏感混合集成电路的吸氢器件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及集成电路领域，提供一种用于氢敏感混合集成电路的吸氢器件，包括：载体；在载体表面上依次叠加设置的吸氢层、选择性渗氢层以及保护层；其中：所述吸氢层，覆形覆盖在载体表面，其被设置用于吸氢/储氢；所述选择性渗氢层，覆形覆盖在吸氢层上，用于选择性地允许氢气透过而阻止其他气体透过；所述保护层，采用在空气环境下性质稳定的金属/合金薄膜，其覆形覆盖在选择性渗氢层上，用于允许氢气透过并且保护位于其下方的选择性渗氢层不与空气中的气体反应而减弱渗氢。
基本信息
专利标题 ：
用于氢敏感混合集成电路的吸氢器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520198A
申请号 ：
CN202210413606.2
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2022-04-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王列松黄寇华
申请人 ：
南京盖特尔电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市中国（江苏）自由贸易试验区南京片区园达路51号网易数字产业基地A栋703-27室
代理机构 ：
南京行高知识产权代理有限公司
代理人 ：
王培松
优先权 ：
CN202210413606.2
主分类号 ：
H01L23/26
IPC分类号 ：
H01L23/26 C23C14/35 C23C14/14 C25D7/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/16
容器中的填充料或辅助构件，例如定心环
H01L23/18
按材料，它的物理或化学性能，或者在其完整器件内以它的配置为特点进行区分的填充料
H01L23/26
包含对水分或其他有害物质有吸收作用或起反应的材料的
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/26
申请日 : 20220420
申请日 : 20220420
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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